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Datasheet下载- 型号： SIS468DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIS468DN-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS468DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS468DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS468DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 30A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS468DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS468DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIS468DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC converters）和电压调节模块（VRMs）。它能够高效地进行功率切换，降低能耗并提高系统效率。 2. 电机驱动与控制：在小型电机驱动电路中，SIS468DN-T1-GE3可用于实现PWM调速或方向控制。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少发热，提升性能。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，这款MOSFET可以快速响应，保护下游电路免受过流或短路影响，同时确保设备正常启动和关闭。 4. 电池保护及管理：在便携式电子设备中，如手机、平板电脑等，该器件可参与电池充放电路径的管理，防止过度充电或深度放电。 5. 信号切换与隔离：利用其高输入阻抗特性，SIS468DN-T1-GE3适合用作模拟或数字信号的切换元件，在音频处理、数据通信等领域发挥作用。 6. LED驱动：对于需要精确电流控制的LED照明应用，此MOSFET能提供稳定的驱动能力，支持亮度调节等功能。 综上所述，SIS468DN-T1-GE3凭借其优异的电气参数和可靠性，广泛应用于消费类电子产品、工业自动化设备以及通信基础设施等多种领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 30A 1212-8MOSFET 80V 19.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS468DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS468DN-T1-GE3SIS468DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS468DN-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 19.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 30 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | SISxxxDN |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIS468DN-GE3 |
