图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: STF18NM80
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

STF18NM80产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STF18NM80由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF18NM80价格参考。STMicroelectronicsSTF18NM80封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF18NM80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF18NM80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)生产的STF18NM80是一款N沟道MOSFET晶体管,属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别。以下是其典型应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - STF18NM80常用于开关电源的设计中,作为功率开关器件。它的高耐压(800V)特性使其适用于高压输入场景,例如AC-DC转换器、适配器和充电器。
   - 在反激式(Flyback)或正激式(Forward)拓扑中,该MOSFET可以高效地控制电流的通断。

 2. 电机驱动
   - 由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关能力,STF18NM80适合用于驱动中小型电机。它能够承受电机启动时的浪涌电流,并提供稳定的运行性能。
   - 应用包括家用电器中的风扇、泵、压缩机等。

 3. 逆变器
   - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,STF18NM80可用于将直流电转换为交流电。其高电压和高效率特性非常适合这些应用。

 4. 负载开关
   - 在需要对电路进行保护或动态控制的场合,STF18NM80可以用作负载开关。例如,在汽车电子或工业控制系统中,用于控制大功率负载的接通与断开。

 5. PFC(功率因数校正)电路
   - 在功率因数校正电路中,STF18NM80可以作为主开关器件,帮助提高系统的功率因数并减少谐波失真。

 6. 家电和工业设备
   - 该MOSFET广泛应用于各种家电和工业设备中,如电磁炉、微波炉、洗衣机、空调等,用于控制加热元件或驱动系统。

 7. 保护电路
   - 在过流保护、短路保护或过温保护电路中,STF18NM80可以用作关键的开关元件,确保系统在异常情况下安全运行。

 总结
STF18NM80凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度,非常适合高压、大功率的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款MOSFET都能提供可靠且高效的性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FPMOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

17 A

Id-连续漏极电流

17 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF18NM80MDmesh™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STF18NM80

Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

Qg-GateCharge

70 nC

Qg-栅极电荷

70 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

250 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

250 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

800 V

Vds-漏源极击穿电压

800 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

28 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2070pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

295 毫欧 @ 8.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220FP

其它名称

497-13081-5
STF18NM80-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF221894?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

96 ns

功率-最大值

40W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

14 S

漏源极电压(Vdss)

800V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Tc)

系列

STF18NM80

STF18NM80 相关产品

NVD3055-094T4G

品牌:ON Semiconductor

价格:

STL17N3LLH6

品牌:STMicroelectronics

价格:

IRLH6224TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

APT8024JLL

品牌:Microsemi Corporation

价格:

FDS7764S

品牌:ON Semiconductor

价格:

AUIRFR4620

品牌:Infineon Technologies

价格:¥9.97-¥9.97

IRFI1310NPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

SI1021R-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格: