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STF18NM80产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF18NM80由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF18NM80价格参考。STMicroelectronicsSTF18NM80封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 800V 17A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF18NM80参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF18NM80 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)生产的STF18NM80是一款N沟道MOSFET晶体管,属于“晶体管 - FET,MOSFET - 单”类别。以下是其典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STF18NM80常用于开关电源的设计中,作为功率开关器件。它的高耐压(800V)特性使其适用于高压输入场景,例如AC-DC转换器、适配器和充电器。 - 在反激式(Flyback)或正激式(Forward)拓扑中,该MOSFET可以高效地控制电流的通断。 2. 电机驱动 - 由于其低导通电阻(Rds(on))和快速开关能力,STF18NM80适合用于驱动中小型电机。它能够承受电机启动时的浪涌电流,并提供稳定的运行性能。 - 应用包括家用电器中的风扇、泵、压缩机等。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或UPS(不间断电源)系统中,STF18NM80可用于将直流电转换为交流电。其高电压和高效率特性非常适合这些应用。 4. 负载开关 - 在需要对电路进行保护或动态控制的场合,STF18NM80可以用作负载开关。例如,在汽车电子或工业控制系统中,用于控制大功率负载的接通与断开。 5. PFC(功率因数校正)电路 - 在功率因数校正电路中,STF18NM80可以作为主开关器件,帮助提高系统的功率因数并减少谐波失真。 6. 家电和工业设备 - 该MOSFET广泛应用于各种家电和工业设备中,如电磁炉、微波炉、洗衣机、空调等,用于控制加热元件或驱动系统。 7. 保护电路 - 在过流保护、短路保护或过温保护电路中,STF18NM80可以用作关键的开关元件,确保系统在异常情况下安全运行。 总结 STF18NM80凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度,非常适合高压、大功率的应用场景。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子领域,这款MOSFET都能提供可靠且高效的性能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 800V 17A TO-220FPMOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
Id-连续漏极电流 | 17 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF18NM80MDmesh™ |
数据手册 | |
产品型号 | STF18NM80 |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 70 nC |
Qg-栅极电荷 | 70 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 800 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 28 ns |
下降时间 | 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2070pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 295 毫欧 @ 8.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-13081-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF221894?referrer=70071840 |
典型关闭延迟时间 | 96 ns |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 14 S |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
系列 | STF18NM80 |