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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF634PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF634PBF价格参考。VishayIRF634PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF634PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF634PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF634PBF 是 Vishay Siliconix 品牌下的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其典型应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS) IRF634PBF 的低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.28 Ω)和高击穿电压(Vds = 100 V)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。例如: - DC-DC 转换器 - 开关模式电源的同步整流 2. 电机驱动 该器件可以用于小功率直流电机的驱动电路中,提供高效的开关控制。具体应用包括: - 家用电器中的小型电机驱动(如风扇、泵) - 无人机或机器人中的伺服电机控制 3. 负载切换 在需要快速切换负载的应用中,IRF634PBF 可以用作电子开关。例如: - 电池管理系统中的负载切换 - LED 驱动电路中的电流控制 4. 音频放大器 由于其良好的线性特性和低导通电阻,IRF634PBF 可用于音频功放电路中的输出级开关或保护电路。 5. 继电器替代 在一些需要固态继电器功能的应用中,IRF634PBF 可以替代机械继电器,实现更长寿命和更快响应时间。例如: - 工业自动化设备中的信号隔离与切换 - 汽车电子中的负载控制 6. 逆变器 在小型逆变器设计中,IRF634PBF 可用于将直流电转换为交流电,适用于: - 太阳能微逆变器 - 便携式逆变器 7. 保护电路 由于其较高的电流处理能力(Id = 9.6 A)和快速开关速度,IRF634PBF 可用于过流保护、短路保护等电路中。 总结 IRF634PBF 的主要优势在于其高耐压、低导通电阻和较快的开关速度,适合应用于中小功率范围内的各种电子系统中,尤其是在需要高效能量转换和精确控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220ABMOSFET N-Chan 250V 8.1 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.1 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF634PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF634PBFIRF634PBF |
| Pd-PowerDissipation | 74 W |
| Pd-功率耗散 | 74 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 450 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 450 毫欧 @ 5.1A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF634PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 74W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 450 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 8.1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.1A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |