Datasheet下载- 型号： NTLJF3117PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJF3117PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJF3117PT1G价格参考。ON SemiconductorNTLJF3117PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJF3117PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJF3117PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJF3117PT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于开关电源中的功率转换，提供高效的能量传递和低导通损耗。 - 负载开关：作为负载开关控制电路的开启和关闭，实现快速响应和低功耗。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电保护电路中，确保电流流向安全可控。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动，如风扇、泵或玩具电机。 - H 桥电路：在 H 桥配置中用作开关元件，控制电机的正转、反转和制动。 3. 信号切换 - 信号路径切换：在多路复用器或多路选择器中，用于切换不同的信号路径。 - 音频信号切换：在音频设备中，用于切换输入/输出信号，同时保持低噪声性能。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性，在过流情况下快速关断以保护后端电路。 - 短路保护：结合检测电路，防止因短路导致的系统损坏。 5. 便携式设备 - 移动设备：应用于智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理单元 (PMU)。 - USB 充电接口：用于 USB 充电端口的电流限制和保护功能。 6. 工业应用 - 传感器接口：在工业自动化系统中，用作传感器信号的开关或放大电路的一部分。 - 数据通信接口：在 RS-232、RS-485 等接口电路中，用于信号电平转换或隔离。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on))：减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 小封装尺寸：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 总之，NTLJF3117PT1G 凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFNMOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.3 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLJF3117PT1GµCool™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTLJF3117PT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 13.2 ns, 15 ns |
| 下降时间 | 13.2 ns, 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 531pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 其它名称 | NTLJF3117PT1GOSDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 13.7 ns, 19.8 ns |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 功率耗散 | 1.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | WDFN-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 3.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Ta） |
| 系列 | NTLJF3117P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 8 V |
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