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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJF3117PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJF3117PT1G价格参考。ON SemiconductorNTLJF3117PT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTLJF3117PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTLJF3117PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJF3117PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于开关电源中的功率转换,提供高效的能量传递和低导通损耗。 - 负载开关:作为负载开关控制电路的开启和关闭,实现快速响应和低功耗。 - 电池管理系统 (BMS):用于电池充放电保护电路中,确保电流流向安全可控。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于消费电子、家用电器中的小型直流电机驱动,如风扇、泵或玩具电机。 - H 桥电路:在 H 桥配置中用作开关元件,控制电机的正转、反转和制动。 3. 信号切换 - 信号路径切换:在多路复用器或多路选择器中,用于切换不同的信号路径。 - 音频信号切换:在音频设备中,用于切换输入/输出信号,同时保持低噪声性能。 4. 保护电路 - 过流保护:利用其低导通电阻特性,在过流情况下快速关断以保护后端电路。 - 短路保护:结合检测电路,防止因短路导致的系统损坏。 5. 便携式设备 - 移动设备:应用于智能手机、平板电脑等便携式设备中的电源管理单元 (PMU)。 - USB 充电接口:用于 USB 充电端口的电流限制和保护功能。 6. 工业应用 - 传感器接口:在工业自动化系统中,用作传感器信号的开关或放大电路的一部分。 - 数据通信接口:在 RS-232、RS-485 等接口电路中,用于信号电平转换或隔离。 特性优势 - 低导通电阻 (Rds(on)):减少功率损耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,降低开关损耗。 - 小封装尺寸:节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 总之,NTLJF3117PT1G 凭借其出色的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFNMOSFET PFET 2X2 20V 4.1A 106MOHM |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.3 A |
Id-连续漏极电流 | - 3.3 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTLJF3117PT1GµCool™ |
数据手册 | |
产品型号 | NTLJF3117PT1G |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 13.2 ns, 15 ns |
下降时间 | 13.2 ns, 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 531pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 2A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-WDFN(2x2) |
其它名称 | NTLJF3117PT1GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 13.7 ns, 19.8 ns |
功率-最大值 | 710mW |
功率耗散 | 1.5 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 100 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
封装/箱体 | WDFN-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 3.1 S |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | - 3.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A (Ta) |
系列 | NTLJF3117P |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 8 V |