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Datasheet下载- 型号： FQD13N10LTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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FQD13N10LTM产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD13N10LTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD13N10LTM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD13N10LTM封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 100V 10A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount D-Pak。您可以下载FQD13N10LTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD13N10LTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD13N10LTM是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）。该器件采用TO-252（D-Pak）封装，具有低导通电阻、高开关速度和良好热稳定性等特点，适用于中低电压功率开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中，作为主开关或同步整流元件，提升转换效率。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机、步进电机的控制电路，常见于家电（如风扇、洗衣机）、电动工具和工业自动化设备中。 3. 照明系统：可用于LED驱动电源，特别是在恒流驱动和调光控制电路中，实现高效稳定的电流输出。 4. 消费类电子产品：如电视机、显示器、路由器等设备的内部电源模块，提供可靠的功率开关功能。 5. 电池管理系统：在便携式设备或储能系统中，用于电池充放电控制和负载开关，防止反向电流和过流损坏。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、车灯控制、继电器替代等场景，在恶劣环境下仍能稳定工作。 FQD13N10LTM具备100V漏源击穿电压和13A连续漏极电流能力，结合其低栅极电荷和导通损耗，特别适合高频、高效率的开关应用。同时，TO-252封装便于散热设计，适用于对空间和热性能有要求的紧凑型设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 10A DPAKMOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD13N10LTMQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQD13N10LTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 220 ns |
| 下降时间 | 72 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 其它名称 | FQD13N10LTMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | FQD13N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
