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产品简介:
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NTA4151PT1是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,采用SOT-23封装,具有小尺寸、低导通电阻和高可靠性等特点。该器件主要适用于对空间和功耗要求较高的便携式电子设备。 典型应用场景包括: 1. 电源管理开关:常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等,实现高效节能的电源切换。 2. DC-DC转换电路:在小型DC-DC转换器中作为同步整流开关或驱动元件,提升转换效率,广泛应用于移动电源、LED驱动模块等。 3. 信号开关与逻辑控制:适用于低电压信号路径的开关控制,如传感器模块、I/O扩展电路中的电平切换。 4. 电机驱动与继电器替代:在微型电机控制或固态继电器设计中,作为低电流驱动开关,减少电磁干扰和机械磨损。 5. 消费类电子产品:如蓝牙耳机、智能手表、无线充电器等,利用其小封装和低功耗特性优化整体设计。 NTA4151PT1具备良好的热稳定性和快速开关响应能力,适合高频工作环境。其最大漏源电压为30V,连续漏极电流可达5.7A(依PCB散热条件而定),兼顾性能与可靠性,是中小功率开关应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 760MA SOT-416 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTA4151PT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 450mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 156pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 360 毫欧 @ 350mA,4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75,SOT-416 |
| 功率-最大值 | 301mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 760mA (Tj) |