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SIR470DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR470DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR470DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR470DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR470DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR470DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIR470DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:该MOSFET适用于开关电源中的降压或升压转换器,用于高效地调节电压。 - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,控制电路的通断以节省电能。 - 电池保护:用于锂离子电池或其他可充电电池的过流、短路保护。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:可用于驱动风扇、泵等小型直流电机,实现速度和方向的精确控制。 - H桥电路:在H桥配置中,用于双向电机驱动和制动功能。 3. 信号切换 - 高速信号切换:由于其低栅极电荷和快速开关特性,适合用于高频信号的切换。 - 音频信号切换:在音频设备中用于信号路径的选择和切换。 4. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和外围设备的供电控制。 - 笔记本电脑:作为功率级开关,用于主板上的电压调节模块(VRM)。 - USB接口保护:在USB端口上提供过流保护和快速开关功能。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于工业自动化系统中的传感器信号调理和驱动。 - 继电器替代:在需要频繁开关的场合,可以用MOSFET替代机械继电器以提高可靠性。 6. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的驱动控制。 - LED照明:用于汽车LED灯的恒流驱动和调光控制。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):减少功耗,提高效率。 - 高电流能力:支持大电流应用,满足多种负载需求。 - 紧凑封装(DFN8065-2L):节省PCB空间,适合小型化设计。 综上所述,SIR470DP-T1-GE3凭借其优异的性能和可靠性,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR470DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIR470DP-T1-GE3SIR470DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 6.25 W |
Pd-功率耗散 | 6.25 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 31 ns |
下降时间 | 39 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5660pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 155nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 20A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIR470DP-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 85 ns |
功率-最大值 | 104W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 190 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |
系列 | SIRxxxDP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SIR814DP-T1-GE3 |