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  • 型号: SIR470DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIR470DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR470DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR470DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR470DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR470DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR470DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SIR470DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:该MOSFET适用于开关电源中的降压或升压转换器,用于高效地调节电压。
   - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,控制电路的通断以节省电能。
   - 电池保护:用于锂离子电池或其他可充电电池的过流、短路保护。

 2. 电机驱动
   - 小型电机控制:可用于驱动风扇、泵等小型直流电机,实现速度和方向的精确控制。
   - H桥电路:在H桥配置中,用于双向电机驱动和制动功能。

 3. 信号切换
   - 高速信号切换:由于其低栅极电荷和快速开关特性,适合用于高频信号的切换。
   - 音频信号切换:在音频设备中用于信号路径的选择和切换。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑:用于内部电源管理和外围设备的供电控制。
   - 笔记本电脑:作为功率级开关,用于主板上的电压调节模块(VRM)。
   - USB接口保护:在USB端口上提供过流保护和快速开关功能。

 5. 工业应用
   - 传感器接口:用于工业自动化系统中的传感器信号调理和驱动。
   - 继电器替代:在需要频繁开关的场合,可以用MOSFET替代机械继电器以提高可靠性。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的驱动控制。
   - LED照明:用于汽车LED灯的恒流驱动和调光控制。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):减少功耗,提高效率。
- 高电流能力:支持大电流应用,满足多种负载需求。
- 紧凑封装(DFN8065-2L):节省PCB空间,适合小型化设计。

综上所述,SIR470DP-T1-GE3凭借其优异的性能和可靠性,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR470DP-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SIR470DP-T1-GE3SIR470DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

6.25 W

Pd-功率耗散

6.25 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

2.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

31 ns

下降时间

39 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5660pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

155nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.3 毫欧 @ 20A,10V

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR470DP-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

85 ns

功率-最大值

104W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

190 S

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

SIRxxxDP

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SIR814DP-T1-GE3

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