Datasheet下载- 型号： SIE832DF-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIE832DF-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIE832DF-T1-GE3价格参考。VishaySIE832DF-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIE832DF-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIE832DF-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIE832DF-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压（最高-20V）、快速开关速度和高可靠性等优点，适合用于电源管理和负载开关应用。 典型应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器和电池供电设备中的电源开关，有助于提高能效和减小电路体积。 2. 负载开关：用于控制电源到负载的通断，如在服务器、笔记本电脑和移动设备中控制外围设备的供电。 3. 马达驱动与继电器替代：适用于低电压马达控制或固态继电器，提供更长寿命和更快响应速度。 4. 保护电路：作为高边或低边开关，用于过流、过压或反向电流保护。 5. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块和LED照明驱动，满足汽车环境对可靠性和温度范围的要求。 SIE832DF-T1-GE3 采用小型 PowerPAK SC-70 封装，节省空间，适合高密度 PCB 设计。其优良的热性能确保在高电流应用中稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIE832DF-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3800pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 77nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | 10-PolarPAK®（S） |
| 其它名称 | SIE832DF-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 104W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 10-PolarPAK®（S） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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