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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP20N50F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP20N50F价格参考。Fairchild SemiconductorFDP20N50F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDP20N50F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP20N50F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP20N50F 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FDP20N50F 的高电压耐受能力(额定电压为 500V)使其非常适合用于开关电源中的高压切换场景。 - DC-DC 转换器:在需要高效能量转换的 DC-DC 转换器中,该器件可用作主开关或同步整流器。 2. 电机驱动 - 工业电机控制:适用于工业设备中的电机驱动电路,例如泵、风扇和压缩机等。 - 家用电器:可用于空调、洗衣机、冰箱等家电中的电机控制模块,提供高效的功率切换。 3. 逆变器 - 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,FDP20N50F 可用于将直流电转换为交流电的逆变器电路中。 - UPS 系统:在不间断电源(UPS)中,该 MOSFET 可用于逆变和电池充电管理。 4. 电磁阀和继电器驱动 - 在工业自动化和汽车电子中,FDP20N50F 可用于驱动电磁阀、继电器等负载,提供高电流输出和快速切换能力。 5. 汽车电子 - 车载电气系统:如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的驱动电路。 - LED 照明:在汽车 LED 照明系统中,该器件可用于恒流驱动和调光控制。 6. 保护电路 - 过压/过流保护:利用其低导通电阻(典型值为 0.85Ω)和快速开关特性,可设计高效的保护电路。 - 浪涌抑制:在需要处理瞬态高压的场合,该 MOSFET 可用作保护元件。 7. 其他应用 - 脉宽调制 (PWM) 控制:在音频放大器或其他 PWM 控制电路中,FDP20N50F 可作为功率级开关元件。 - 电池管理系统 (BMS):用于电池充放电控制和均衡电路中。 综上所述,FDP20N50F 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于各种需要高效功率切换和控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-220MOSFET 500V N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP20N50FUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP20N50F |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 260 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 260 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
| 系列 | FDP20N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |