Datasheet下载- 型号： NTMS4916NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4916NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4916NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4916NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4916NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4916NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTMS4916NR2G是一款P沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管器件。该器件采用1.2W小型SOT-23封装，具有低阈值电压和低导通电阻（RDS(on)），适用于低电压、低功耗的应用场景。 NTMS4916NR2G主要应用于便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，常用于电源管理开关、电池供电系统的负载开关、电源路径控制以及信号切换等场合。由于其P沟道特性，特别适合用于高边开关（High-side Switch）设计，在关闭不需要的电路模块以节省电能方面表现优异。 此外，该MOSFET也广泛用于DC-DC转换器中的同步整流、LED驱动电路、电机控制开关以及各类低功率模拟开关电路中。其绿色环保设计（符合RoHS标准，无铅且不含卤素）使其适用于对环保要求较高的消费类电子产品。 NTMS4916NR2G凭借小尺寸、高效能和高可靠性，成为空间受限且注重能效的嵌入式系统和便携设备中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 11.4A SO8 FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS4916NR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1376pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 890mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A （Ta） |
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