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Datasheet下载- 型号： TK5P50D(T6RSS-Q)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK5P50D(T6RSS-Q)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK5P50D(T6RSS-Q)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK5P50D(T6RSS-Q)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK5P50D(T6RSS-Q)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK5P50D(T6RSS-Q) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK5P50D(T6RSS-Q) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 晶体管 - FET，MOSFET - 单 类别，是一款性能稳定的功率MOSFET器件，广泛应用于多种电子设备和系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等电源管理系统，用于高效地控制和转换电能，提升整体能效。 2. 电机控制：用于电动工具、家用电器（如风扇、空调）中的电机驱动电路，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 汽车电子：适合车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等场景，满足汽车电子对高可靠性和耐环境能力的需求。 4. 工业自动化：用于工业控制设备、PLC（可编程逻辑控制器）、继电器驱动等，提供高稳定性和快速开关性能。 5. 消费类电子产品：如智能家电、电源适配器、充电器等，支持小型化设计和高效能运行。 该MOSFET具有良好的导通电阻（Rds(on)）特性和高耐压能力（500V），适用于中高功率应用，具备较强的热稳定性和耐用性，适合在较复杂环境下工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 490 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 5A DPAK-3MOSFET N-Ch MOS 5A 500V 80W 490pF 1.5 Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK5P50D |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK5P50D(T6RSS-Q)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK5P50D |
| 产品型号 | TK5P50D(T6RSS-Q)TK5P50D(T6RSS-Q) |
| Pd-PowerDissipation | 80 W |
| Pd-功率耗散 | 80 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.4 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | TK5P50DT6RSSQ |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,000 |
| 正向跨导-最小值 | 0.8 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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