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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STB14NK50Z-1由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB14NK50Z-1价格参考。STMicroelectronicsSTB14NK50Z-1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STB14NK50Z-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STB14NK50Z-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB14NK50Z-1是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的场景。该器件具有高耐压(500V)和较强的电流承载能力,适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、照明镇流器以及工业自动化设备等场合。 由于其低导通电阻和优异的热稳定性,STB14NK50Z-1在高频开关应用中表现出色,有助于提高系统效率并减少能量损耗。此外,该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,适合在高可靠性要求的工业环境中使用。 典型应用场景包括:电源适配器、电池充电器、不间断电源(UPS)、家电控制板以及电动工具中的功率控制模块。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB14NK50Z-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 92nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 380 毫欧 @ 6A,10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Tc) |