Datasheet下载- 型号： IRLR8103VTRR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR8103VTRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR8103VTRR价格参考。International RectifierIRLR8103VTRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR8103VTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR8103VTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRLR8103VTRR是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的MOSFET晶体管，属于N沟道增强型功率MOSFET。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：IRLR8103VTRR适用于各种开关电源（SMPS）设计，如DC-DC转换器、降压/升压电路和反激式变换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率并减少发热。 2. 电机驱动：该器件适合用于小型直流电机或无刷直流电机的驱动控制，常见于家用电器、电动工具和自动化设备中。其快速开关速度和低损耗性能可优化电机运行效率。 3. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护电路中，IRLR8103VTRR可用作充放电路径的开关元件，确保电流安全流动并防止过流、短路等异常情况。 4. 负载切换与保护：应用于汽车电子、通信设备及消费类电子产品中的负载切换电路，提供高效且可靠的通断控制功能，同时支持热插拔保护。 5. LED照明驱动：用于驱动高亮度LED灯串，特别是在恒流源设计中，能够实现精确的电流调节并保持稳定的亮度输出。 6. 信号放大与缓冲：在某些音频处理或传感器接口电路中，该MOSFET可以用作信号放大的开关级或缓冲级。 总之，IRLR8103VTRR凭借其出色的电气特性和紧凑封装形式，在需要高性能、低功耗的场合下具有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 91A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRLR8103VTRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2672pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 91A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr8103v.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr8103v.spi |
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