图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRFD9210PBF
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRFD9210PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD9210PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD9210PBF价格参考。VishayIRFD9210PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 200V 400mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP。您可以下载IRFD9210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFD9210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRFD9210PBF是由Vishay Siliconix生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。该型号具有高耐压、低栅极电荷和快速开关速度的特点,广泛应用于多种电力电子场景中。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - IRFD9210PBF适用于开关电源中的功率开关元件,例如降压、升压或反激式转换器。
   - 其高耐压(-100V)和低导通电阻特性使其适合高频开关应用,能够提高效率并减少能量损耗。

 2. 电机驱动与控制
   - 在小型直流电机驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 可用于H桥电路实现电机的正转和反转控制。

 3. 负载开关
   - 用于便携式设备(如手机、平板电脑等)中的负载开关,控制不同电路模块的供电状态。
   - 其低导通电阻有助于减少开关过程中的功耗。

 4. 逆变器与太阳能系统
   - 在微型逆变器中作为功率开关,将直流电转换为交流电。
   - 也可用于太阳能电池板的最大功率点跟踪(MPPT)电路中,优化能量转换效率。

 5. 保护电路
   - 用于过流保护、短路保护或限流电路中,通过快速关断防止过载损坏其他器件。
   - 其快速开关特性和高耐压能力使其在保护电路中表现优异。

 6. 音频功率放大器
   - 在D类音频放大器中用作输出级开关元件,提供高效的音频信号放大。
   - 其低导通电阻和快速开关速度有助于降低失真和热损耗。

 7. 脉宽调制(PWM)控制器
   - 在LED驱动器或加热器控制系统中,利用PWM信号调节输出功率或亮度。
   - 其高频率响应能力确保了精确的占空比控制。

 总结
IRFD9210PBF凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能,在各种电力电子设备中发挥重要作用。它适用于需要高效功率转换、快速响应和可靠保护的应用场合,是设计高性能电力电子系统的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 200V 400MA 4-DIPMOSFET P-Chan 200V 0.4 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

400 mA

Id-连续漏极电流

400 mA

品牌

Vishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD9210PBF-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRFD9210PBF

Pd-PowerDissipation

1000 mW

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

3 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

- 200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 ns

下降时间

12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

170pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.9nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3 欧姆 @ 240mA,10V

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

4-DIP,Hexdip,HVMDIP

其它名称

*IRFD9210PBF

典型关闭延迟时间

11 ns

功率-最大值

1W

功率耗散

1000 mW

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

3 Ohms

封装

Tube

封装/外壳

4-DIP(0.300",7.62mm)

封装/箱体

HexDIP-4

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

400 mA

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

400mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

闸/源击穿电压

+/- 20 V

IRFD9210PBF 相关产品

C2M1000170D

品牌:Cree/Wolfspeed

价格:

FDPF4N60NZ

品牌:ON Semiconductor

价格:

IXFK64N50Q3

品牌:IXYS

价格:

IXTH120P065T

品牌:IXYS

价格:¥21.59-¥49.03

2SJ360(TE12L,F)

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

IRFR3410TRLPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IXFV22N50P

品牌:IXYS

价格:

FDMS8692

品牌:ON Semiconductor

价格: