Datasheet下载- 型号： SI3475DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3475DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3475DV-T1-E3价格参考。VishaySI3475DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3475DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3475DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3475DV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于 DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关等电路中，提供高效的功率转换和稳定的电流控制。 2. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，实现对电机的精确控制和高效运行。 3. 电池保护：在便携式电子设备中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，用于电池充放电保护及电流路径控制。 4. 消费类电子产品：广泛应用于电视、音响系统、游戏机等需要高效功率切换的设备中。 5. 通信设备：在网络路由器、交换机和其他通信基础设施中作为功率开关使用，确保信号传输的稳定性和可靠性。 6. 工业自动化：在可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和工业电源供应器等领域中发挥重要作用。 该器件的工作电压范围宽广，能够承受较高的电流负荷，并且具备良好的热性能，适合多种复杂环境下的应用需求。同时，其紧凑的封装形式也使其非常适合空间受限的设计场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 950MA 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3475DV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.61 欧姆 @ 900mA，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3475DV-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 950mA （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
SI3475DV-T1-E3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商