ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7469PBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7469PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7469PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7469PBF价格参考。International RectifierIRF7469PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7469PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7469PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7469PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其应用场景广泛，包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理：该器件常用于开关电源、DC-DC转换器等电源管理系统中。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效降低功率损耗，提高转换效率。例如，在笔记本电脑适配器、服务器电源模块以及消费电子产品的充电电路中，IRF7469PBF可以实现高效的电能转换。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中，IRF7469PBF可用作功率级开关元件。它能够承受较高的电流，并且具备快速开关能力，有助于提升电机控制系统的响应速度和精度。典型应用包括电动工具、家用电器如洗衣机、空调等设备中的电机控制系统。 3. 负载切换与保护：该MOSFET也可用于各种负载切换电路，如USB端口保护、电池管理系统中的充放电路径控制等。通过精确控制栅极电压，可以在不同工作状态下安全地接通或断开负载，确保系统稳定运行并防止过流、短路等问题。 4. 汽车电子：在汽车领域，IRF7469PBF可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向（EPS）、ABS防抱死制动系统等关键部位。这些应用要求高可靠性和耐高温性能，而Infineon的产品以其卓越的质量和稳定性著称。 总之，IRF7469PBF凭借其优异的电气参数和可靠性，在众多工业、消费类及汽车电子产品中有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOICMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 17mOhms 15nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7469PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7469PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 2.2 ns |
| 下降时间 | 3.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7469.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7469.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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