ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > C2M1000170D
Datasheet下载- 型号： C2M1000170D
- 制造商： Cree
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C2M1000170D由Cree设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C2M1000170D价格参考。CreeC2M1000170D封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 1700V 4.9A（Tc） 69W（Tc） TO-247-3。您可以下载C2M1000170D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C2M1000170D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Cree/Wolfspeed 型号为 C2M1000170D 的晶体管是一款 1700V、1.0Ω 导通电阻的 SiC（碳化硅）MOSFET，属于高性能功率半导体器件。其主要应用场景集中在高电压、高效率和高温工作环境中。典型应用包括工业级电源系统，如高压直流电源、不间断电源（UPS）和开关模式电源（SMPS），可显著提升转换效率并减小系统体积。 该器件广泛用于新能源领域，例如太阳能逆变器和储能系统，在1500V光伏系统中表现出优异的耐压与低损耗特性，有助于提高发电效率。此外，C2M1000170D 也适用于电动汽车充电基础设施，尤其是直流快充桩，能够在高功率密度和高温条件下稳定运行，支持更快的充电速度和更高的系统可靠性。 在电机驱动方面，该MOSFET可用于高压工业电机驱动器和牵引系统，得益于SiC材料的快速开关能力，能有效降低开关损耗，提升系统整体能效。同时，其出色的热性能减少了对复杂散热系统的需求，有利于简化设计、降低成本。 综上，C2M1000170D 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关特性，适用于对效率、功率密度和可靠性要求严苛的高端电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247MOSFET SIC MOSFET 1700V RDS ON 1 Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | SiCFET N 通道，碳化硅 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.9 A |
| 品牌 | Cree Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Cree, Inc. C2M1000170DZ-FET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | C2M1000170D |
| Pd-PowerDissipation | 69 W |
| Pd-功率耗散 | 69 W |
| Qg-GateCharge | 13 nC |
| Qg-栅极电荷 | 13 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.7 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.7 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 10 V, + 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 10 V, + 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.4 V |
| 上升时间 | 46 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 191pF @ 1000V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.1 欧姆 @ 2A， 20V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30325 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Cree, Inc. |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 技术 | SiC |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 0.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1700V （1.7kV） |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/c2m-family-of-silicon-carbide-power-mosfets/52365 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.9A （Tc） |
| 相关产品 | /product-detail/zh/CRD-001/CRD-001-ND/4199824 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
