Datasheet下载- 型号： IRFR3410TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3410TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3410TRLPBF价格参考￥2.78-￥6.42。International RectifierIRFR3410TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR3410TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR3410TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRFR3410TRLPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，且为单个器件。该型号的应用场景主要包括以下方面： 1. 电源管理 - IRFR3410TRLPBF是一种N沟道增强型MOSFET，适用于各种电源管理应用，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 - 在电池充电电路中，可用作开关元件以控制充电电流。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关或H桥的一部分，实现电机的正转、反转和速度控制。 - 其快速开关能力和高耐用性使其适合工业自动化设备中的电机控制应用。 3. 负载切换 - 在消费电子、汽车电子和工业设备中，IRFR3410TRLPBF可以用于负载切换，例如控制LED灯、继电器或其他外围设备的通断。 4. 逆变器和变频器 - 该器件适用于小型逆变器和变频器电路，用于将直流电转换为交流电或调整输出频率，广泛应用于家用电器（如风扇、空调）和可再生能源系统（如太阳能微逆变器）。 5. 汽车电子 - 在汽车领域，IRFR3410TRLPBF可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）、电动车窗和座椅调节等应用中，提供高效的功率控制。 6. 通信和网络设备 - 该MOSFET也可用于通信设备中的功率分配和信号调理，例如路由器、交换机和其他网络设备的电源管理系统。 技术优势 - 低导通电阻：降低功耗，提升系统效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 高可靠性：能够在恶劣环境下稳定运行。 综上所述，IRFR3410TRLPBF是一款性能优异的MOSFET，适用于多种需要高效功率控制和快速开关的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 1.69 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 31A DPAKMOSFET MOSFT 100V 31A 39mOhm 37nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3410TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR3410TRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 37 nC |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 18A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR3410TRLPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 39 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 33 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru3410.spi |
| 配置 | Single |
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