Datasheet下载- 型号： NTMD4884NFR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD4884NFR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD4884NFR2G价格参考。ON SemiconductorNTMD4884NFR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMD4884NFR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD4884NFR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD4884NFR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型功率MOSFET。该器件常用于需要高效能和高可靠性的电源管理与功率控制应用中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电路中，实现高效的电能转换与调节。 2. 电机控制：在电动工具、风扇、泵等电机驱动电路中作为开关元件，控制电机的启停与转速。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路中，提供低导通电阻和高效率，延长电池使用寿命。 4. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块、LED照明驱动等，适用于对可靠性要求较高的车载环境。 5. 工业自动化：在PLC、工业电源、继电器替代方案中作为功率开关使用。 6. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、充电器、智能家电等，因其封装小、效率高而受到青睐。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力、封装小巧等优点，适合高频开关应用，有助于提高系统效率并减小电路体积。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 3.3A 8-SOICMOSFET NFET FTKY S08 30V TR 5.6A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 5.7 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMD4884NFR2G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMD4884NFR2G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.3 W |
| Pd-功率耗散 | 2.3 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6.5 ns |
| 下降时间 | 1.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 770mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 48 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 5.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
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