Datasheet下载- 型号： IRF620STRLPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF620STRLPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF620STRLPBF价格参考。VishayIRF620STRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF620STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF620STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF620STRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其应用场景广泛，主要适用于需要高效开关和功率管理的电子设备。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理： IRF620STRLPBF常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及负载开关等电路中，能够提供高效的电力传输和控制，降低功耗。 2. 电机驱动： 该MOSFET适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，可实现电机的启动、停止及速度调节等功能。 3. 电池保护与管理： 在电池管理系统中，IRF620STRLPBF可用于电池充放电保护、过流保护以及短路保护，确保电池的安全运行。 4. 信号切换： 作为开关元件，IRF620STRLPBF可以用于信号路径的选择和切换，例如在多路复用器或数据通信接口中。 5. 汽车电子： 在汽车电子系统中，该器件可用于车载电子设备的电源控制、照明控制以及其他低侧开关应用。 6. 消费类电子产品： 包括便携式设备（如平板电脑、智能手机外设）中的电源管理模块，以及家用电器中的功率控制部分。 7. 工业自动化： 可用于工业控制领域的继电器替代、传感器接口以及执行器驱动等场景。 IRF620STRLPBF具有较低的导通电阻（Rds(on)）、较高的电流承载能力和良好的热性能，使其能够在多种工作条件下保持稳定运行，同时支持表面贴装技术（SMD），便于现代化生产装配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF620STRLPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF620STRLPBFIRF620STRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3 W |
| Pd-功率耗散 | 3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 800 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 800 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 800 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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