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Datasheet下载- 型号： IRF9Z34STRLPBF
- 制造商： Vishay
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IRF9Z34STRLPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z34STRLPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z34STRLPBF价格参考。VishayIRF9Z34STRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 18A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF9Z34STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z34STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF9Z34STRLPBF是一款P沟道MOSFET晶体管，主要应用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET适用于直流-直流转换器、电压调节模块（VRM）以及负载开关等电源管理电路，用于实现高效的电压转换和电流控制。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中，IRF9Z34STRLPBF可以用作开关元件，通过快速切换来控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 电池保护：在便携式设备中，这款MOSFET可用于电池保护电路，防止过流、短路或反向电压对电池造成损害。 4. 逆变器和太阳能系统：在小型逆变器或太阳能充电控制器中，该器件可以用来控制能量流动，提高系统的效率和可靠性。 5. 信号切换：在音频或视频信号切换应用中，IRF9Z34STRLPBF能够提供低导通电阻和快速开关特性，确保信号完整性。 6. 汽车电子：该器件适合用于汽车电子中的各种开关应用，如灯光控制、座椅加热器控制等，具有良好的耐热性和抗噪性能。 7. 消费类电子产品：在打印机、扫描仪等消费类电子产品中，这款MOSFET可用于控制外围设备的供电状态，降低待机功耗。 总之，IRF9Z34STRLPBF凭借其优良的电气特性和紧凑的封装形式，广泛适用于需要高效率、低损耗和可靠性能的各种工业、汽车及消费类应用领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 18A D2PAKMOSFET P-Chan 60V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF9Z34STRLPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9Z34STRLPBFIRF9Z34STRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2 V to - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2 V to - 4 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 140 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF9Z34STRLPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 3.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 5.9 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
