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STF20N95K5产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF20N95K5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF20N95K5价格参考。STMicroelectronicsSTF20N95K5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 950V 17.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP。您可以下载STF20N95K5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF20N95K5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STF20N95K5是一款N沟道增强型MOSFET,属于功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场合。该器件具有低导通电阻、高耐压(950V)以及高电流承载能力等特点,适用于多种电力电子系统。 主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于提高转换效率和减小体积。 2. 工业电机控制:用于变频器或电机驱动电路中,实现对电机的高效调速与控制。 3. 照明系统:如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路。 4. 新能源领域:例如太阳能逆变器、储能系统中用于功率调节和能量传输控制。 5. 家电控制:在洗衣机、空调等家电中用于压缩机或风扇电机的控制模块。 该MOSFET具备良好的热稳定性和耐用性,适合在高温或高负载环境下工作,是工业和消费类电力电子设备中的常用器件。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220FPMOSFET N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A SuperMESH 5 |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 17.5 A |
Id-连续漏极电流 | 17.5 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF20N95K5SuperMESH5™ |
数据手册 | |
产品型号 | STF20N95K5 |
Pd-PowerDissipation | 40 W |
Pd-功率耗散 | 40 W |
Qg-GateCharge | 40 nC |
Qg-栅极电荷 | 40 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 330 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 330 mOhms |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 950 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 950 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 330 毫欧 @ 9A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220FP |
其它名称 | 497-12975-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF250057?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 40W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 950V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17.5A (Tc) |
系列 | STF20N95K5 |