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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4410BDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4410BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4410BDY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4410BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4410BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4410BDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的器件。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:适用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件,能够高效地控制电流流动。 - 负载开关:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关,实现快速开启和关闭功能,同时减少功耗。 - 电池保护电路:在锂电池管理系统中,用作充放电路径的开关,防止过流或短路。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等场景中的低功率电机驱动,提供高效的开关性能。 - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制,支持正转和反转操作。 3. 消费电子 - 音频放大器:在便携式音频设备中,用作输出级开关,以降低失真并提高效率。 - USB 充电端口保护:在 USB 接口设计中,用作过流保护和短路保护的开关。 4. 通信设备 - 信号切换:在通信模块中,用于高频信号的切换,确保信号完整性。 - 射频前端控制:在无线通信系统中,用作射频路径的开关,支持多频段切换。 5. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和其他低功率子系统的开关控制。 - LED 照明控制:在车内照明系统中,用作 LED 驱动的开关元件。 6. 工业应用 - 传感器接口:用于工业自动化设备中的传感器信号切换和控制。 - 继电器替代:在需要快速开关的场合,可以替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。 SI4410BDY-T1-GE3 的特点包括低导通电阻(典型值为 8.5 mΩ)、高工作频率和紧凑的封装(TSSOP),使其非常适合对空间和效率要求较高的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOICMOSFET 30V 10A 2.5W 13.5mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 7.5 A |
Id-连续漏极电流 | 7.5 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4410BDY-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4410BDY-T1-GE3SI4410BDY-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 1.4 W |
Pd-功率耗散 | 1.4 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 15 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.5 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
典型关闭延迟时间 | 40 ns |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.5A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4410BDY-GE3 |