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  • 型号: SI4410BDY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4410BDY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4410BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4410BDY-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI4410BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4410BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI4410BDY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的器件。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器:适用于降压或升压 DC-DC 转换器中的开关元件,能够高效地控制电流流动。
   - 负载开关:用于便携式设备(如智能手机、平板电脑)中的负载开关,实现快速开启和关闭功能,同时减少功耗。
   - 电池保护电路:在锂电池管理系统中,用作充放电路径的开关,防止过流或短路。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等场景中的低功率电机驱动,提供高效的开关性能。
   - H 桥电路:作为 H 桥的一部分,用于双向电机控制,支持正转和反转操作。

 3. 消费电子
   - 音频放大器:在便携式音频设备中,用作输出级开关,以降低失真并提高效率。
   - USB 充电端口保护:在 USB 接口设计中,用作过流保护和短路保护的开关。

 4. 通信设备
   - 信号切换:在通信模块中,用于高频信号的切换,确保信号完整性。
   - 射频前端控制:在无线通信系统中,用作射频路径的开关,支持多频段切换。

 5. 汽车电子
   - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和其他低功率子系统的开关控制。
   - LED 照明控制:在车内照明系统中,用作 LED 驱动的开关元件。

 6. 工业应用
   - 传感器接口:用于工业自动化设备中的传感器信号切换和控制。
   - 继电器替代:在需要快速开关的场合,可以替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。

SI4410BDY-T1-GE3 的特点包括低导通电阻(典型值为 8.5 mΩ)、高工作频率和紧凑的封装(TSSOP),使其非常适合对空间和效率要求较高的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOICMOSFET 30V 10A 2.5W 13.5mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.5 A

Id-连续漏极电流

7.5 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4410BDY-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SI4410BDY-T1-GE3SI4410BDY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

1.4 W

Pd-功率耗散

1.4 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

13.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

13.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

15 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.5 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

40 ns

功率-最大值

1.4W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SI4410BDY-GE3

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