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Datasheet下载- 型号： STP10NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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STP10NM60N产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP10NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTP10NM60N封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 70W（Tc） TO-220AB。您可以下载STP10NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP10NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP10NM60N是一款N沟道增强型MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有10A电流能力和600V耐压，适用于需要高效能与高可靠性的场景。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：如AC-DC适配器、充电器和电源模块，用于提高转换效率并减小体积。 2. 电机驱动：用于工业自动化设备或电动工具中的直流电机控制，具备快速开关特性。 3. 照明系统：如LED路灯或工业照明中的恒流驱动电路。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源或太阳能逆变器中实现电能转换。 5. 家电控制：如洗衣机、空调等家用电器中的负载开关或变频控制部分。 其高耐用性和热稳定性使其在高温环境下也能稳定运行，适合工业级应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 8A TO220MOSFET N-channel 600 V Mdmesh 8A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP10NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 70 W |
| Pd-功率耗散 | 70 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 550 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 550 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 540pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 550 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-9098-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF223532?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | STP10NM60N |
| 配置 | Single |
