ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > BS250PSTZ
Datasheet下载- 型号： BS250PSTZ
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BS250PSTZ由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BS250PSTZ价格参考。Diodes Inc.BS250PSTZ封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 P 沟道 45V 230mA（Ta） 700mW（Ta） E-Line（TO-92 兼容）。您可以下载BS250PSTZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BS250PSTZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BS250PSTZ 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 P 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该器件广泛应用于低电压、低功耗的开关电路中。 其典型应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源管理与负载开关控制；电池供电系统中的反向极性保护和电源通断控制；以及各类消费类电子产品中的信号切换和小功率驱动电路。由于其具备较低的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷，BS250PSTZ 在开关速度和能效方面表现良好，适合高频开关应用。 此外，该 MOSFET 采用 SOT-23 小型封装，体积小巧，适用于空间受限的高密度 PCB 设计。其额定电压为 -200V，适合中等电压环境下的安全操作，常用于继电器驱动、LED 控制、DC-DC 转换器中的同步整流或低端开关等场景。 综上，BS250PSTZ 凭借其可靠性、小型化和高效性能，广泛用于消费电子、工业控制和电源管理领域，尤其适合需要节能、稳定开关功能的低功耗系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CHAN 45V TO92-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BS250PSTZ |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 欧姆 @ 200mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 45V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 230mA （Ta） |
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