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  • 型号: CSD88539NDT
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CSD88539NDT由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD88539NDT价格参考。Texas InstrumentsCSD88539NDT封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 15A 2.1W 表面贴装 8-SO。您可以下载CSD88539NDT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CSD88539NDT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

品牌

Texas Instruments

数据手册

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产品图片

产品型号

CSD88539NDT

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

NexFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

741pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

28 毫欧 @ 5A,10V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

296-37796-1

制造商产品页

http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD88539NDT

功率-最大值

2.1W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A

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