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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6H19NU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6H19NU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6H19NU,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6H19NU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6H19NU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6H19NU,LF 是东芝半导体(Toshiba Semiconductor and Storage)推出的一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件采用小型化封装(USMT),适合高密度贴装,广泛应用于便携式电子设备和空间受限的设计中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于电池供电设备的电源开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,实现低功耗待机与系统上电控制。 2. 负载开关:作为高效负载开关,控制外设或模块的供电通断,减少漏电流,提升能效。 3. 信号切换:适用于低电压信号路径的切换,例如音频或数据线路的选择与隔离。 4. DC-DC转换电路:在同步整流或电压调节模块中辅助实现高效的直流变换。 SSM6H19NU,LF具有低导通电阻(RDS(ON))、低阈值电压和良好的热稳定性,支持宽温度范围工作,适合工业级与消费类电子产品。其LF后缀表示符合无铅环保要求,满足RoHS标准。因其高可靠性与紧凑设计,成为现代电子设备中理想的MOSFET选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 2A 6UDFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6H19NU |
产品图片 | |
产品型号 | SSM6H19NU,LF |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 130pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.2nC @ 4.2V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 185 毫欧 @ 1A, 8V |
供应商器件封装 | 6-UDFN (2x2) |
其它名称 | SSM6H19NULFDKR |
功率-最大值 | 1W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |