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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFS8405由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRFS8405价格参考。International RectifierAUIRFS8405封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载AUIRFS8405参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有AUIRFS8405 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的AUIRFS8405是一款单通道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET类别。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性和高功率密度的场景,尤其适用于汽车电子领域。 AUIRFS8405的主要应用场景包括: 1. 汽车电源系统:如车载充电系统、DC-DC转换器、电池管理系统(BMS)等,用于高效转换和调节电能。 2. 电机驱动:用于电动车窗、座椅调节、泵类电机等汽车电机控制系统中,提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关:作为高边或低边开关,控制大功率负载的通断,如照明系统、加热元件等。 4. 逆变器与变频器:用于新能源汽车或工业设备中的逆变电路,实现直流到交流的电能转换。 5. 工业电源与电源管理模块:适用于需要高效率和高稳定性的工业电源系统,如服务器电源、UPS(不间断电源)等。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减小整体尺寸。此外,其封装形式(如PowerPAK)有助于提高散热性能,增强器件在严苛环境下的可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAKMOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.9mOhm 193A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFS8405HEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRFS8405 |
| Pd-PowerDissipation | 163 W |
| Pd-功率耗散 | 163 W |
| Qg-GateCharge | 107 nC |
| Qg-栅极电荷 | 107 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V to 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V to 3.9 V |
| 上升时间 | 128 ns |
| 下降时间 | 77 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5193pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 161nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 100A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D²PAK |
| 其它名称 | IRAUIRFS8405 |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 163W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | CoolIRFet |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.3 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 120 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |