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BC848BWT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BC848BWT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC848BWT1G价格参考。ON SemiconductorBC848BWT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 30V 100mA 100MHz 150mW 表面贴装 SC-70-3(SOT323)。您可以下载BC848BWT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC848BWT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BC848BWT1G是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于小信号晶体管,广泛应用于各种电子电路中。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 信号放大 BC848BWT1G常用于音频放大器、射频(RF)放大器等电路中,作为前置放大器或中间级放大器。它能够有效地放大微弱的电信号,确保后续电路接收到足够强度的信号。由于其低噪声特性,特别适合用于对信号质量要求较高的场合。 2. 开关应用 在数字电路中,BC848BWT1G可以用作开关元件。例如,在电源管理电路中,它可以控制负载的通断,实现电流的快速切换。它的开关速度较快,能够在高频条件下稳定工作,适用于脉宽调制(PWM)控制器、LED驱动器等应用。 3. 传感器接口 在传感器信号调理电路中,BC848BWT1G可以用来放大传感器输出的微弱信号。例如,在温度传感器、压力传感器等模拟信号输出的场合,该晶体管可以将传感器的输出信号放大到合适的电平,以便后续处理。 4. 通信设备 BC848BWT1G也常用于通信设备中的信号调制和解调电路。它可以用于调幅(AM)、调频(FM)等无线通信系统中的信号处理,确保信号的准确传输和接收。 5. 消费电子产品 在许多消费电子产品中,如遥控器、无线耳机、智能家居设备等,BC848BWT1G被用作信号放大和开关控制元件。它的小尺寸和低功耗特性使其非常适合便携式设备的设计。 6. 工业控制 在工业自动化控制系统中,BC848BWT1G可以用于驱动继电器、电磁阀等执行机构。它能够承受一定的电流和电压波动,确保系统的可靠性和稳定性。 总的来说,BC848BWT1G是一款性能优良的小信号双极型晶体管,适用于多种低功率、高精度的信号处理和开关控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 30V 100MA SOT-323两极晶体管 - BJT 100mA 30V NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC848BWT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BC848BWT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
| 其它名称 | BC848BWT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 15nA (ICBO) |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | BC848BW |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | 100MHz |