【未分类_FSB649】封装/厂家_FSB649中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： FSB649
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FSB649由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FSB649价格参考。Fairchild SemiconductorFSB649封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FSB649参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FSB649 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FSB649 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。以下是其主要应用场景：

1. 开关应用：  
   FSB649 适用于各种开关电路，例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制。其快速开关特性和低饱和电压使其在这些应用中表现出色。

2. 信号放大：  
   在音频设备或传感器信号放大的场景中，FSB649 可用作小信号放大器，提供高增益以增强微弱信号的强度。

3. 电源管理：  
   该晶体管可用于简单的线性稳压器或电流限制电路中，帮助调节输出电压或保护电路免受过流损害。

4. 通信设备：  
   在低频通信电路中，FSB649 能够作为缓冲器或电平转换器使用，确保信号传输的稳定性和可靠性。

5. 消费电子：  
   包括家用电器（如风扇速度控制）、遥控器和玩具等产品中，FSB649 可实现基本的功率控制功能。

6. 工业控制：  
   在工业自动化领域，该晶体管可以参与构建光电隔离器、固态继电器或其他需要精确电流控制的模块。

7. 汽车电子：  
   尽管 FSB649 不是专门设计用于极端环境下的汽车级元件，但在某些非关键任务的应用（如车内照明控制）中仍可能被采用。

总之，FSB649 凭借其优异的电气性能和成本效益，在多种电子系统中发挥着重要作用，尤其是在需要高效开关操作或信号放大的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN 25V 3A SSOT-3两极晶体管 - BJT NPN Transistor Low Saturation
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	过渡期间无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor FSB649-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	FSB649
PCN封装	点击此处下载产品Datasheet
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 300mA，3A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 1A，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	3-SSOT
其它名称	FSB649DKR
功率-最大值	500mW
包装	Digi-Reel®
单位重量	30 mg
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封装/箱体	Super SOT
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	0.5 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	3 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
电压-集射极击穿（最大值）	25V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
直流电流增益hFE最大值	300
直流集电极/BaseGainhfeMin	100
系列	FSB649
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	25 V
集电极—基极电压VCBO	35 V
集电极—射极饱和电压	600 mV
集电极连续电流	3 A
频率-跃迁	150MHz