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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF130N10F3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF130N10F3价格参考。STMicroelectronicsSTF130N10F3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF130N10F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF130N10F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STF130N10F3是一款N沟道增强型MOSFET,具有高电流、低导通电阻和良好热性能,适用于多种功率电子应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,作为高效开关元件,提高电源转换效率。 2. 电机控制:在电动车、工业电机驱动器中,用作电机的功率开关,实现调速与方向控制。 3. 逆变器系统:适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备,用于将直流电转换为交流电。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,提供高效的能量管理与保护功能。 5. 汽车电子:适用于车载充电器、起停系统、电动助力转向等场景,满足汽车应用中对可靠性和效率的高要求。 6. 工业自动化:用于工业变频器、伺服驱动器等设备,实现对电机和负载的精确控制。 该器件具备高耐用性和稳定性,适合在高温和高负载环境下运行,是高性能功率开关的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220FPMOSFET N-CH 100V 8mOhm 46A STripFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF130N10F3STripFET™ III |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF130N10F3 |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3305pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.6 毫欧 @ 23A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13098-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF251357?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 46A (Tc) |
| 系列 | STF130N10F3 |