Datasheet下载- 型号： IRF5210LPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF5210LPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF5210LPBF价格参考。International RectifierIRF5210LPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF5210LPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF5210LPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的型号为IRF5210LPBF的晶体管属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的单通道类型。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRF5210LPBF常用于开关电源中作为功率开关，适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等场景。其低导通电阻和快速开关特性可以提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中，IRF5210LPBF可以用作功率级开关，实现对电机速度和方向的精确控制。例如，家用电器（如风扇、洗衣机）和工业自动化设备中的电机驱动。 3. 逆变器 - 该型号适用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等应用，用于将直流电转换为交流电。其高效的开关性能有助于提升逆变器的整体效率。 4. LED驱动 - 在高亮度LED照明系统中，IRF5210LPBF可以用作电流调节器，确保LED在不同负载条件下保持稳定的亮度和颜色。 5. 汽车电子 - 该MOSFET可用于汽车电子系统中，例如电动车窗、雨刷器、座椅调节器等的驱动电路。它能够承受较高的电压和电流，同时提供可靠的开关性能。 6. 电池管理系统（BMS） - 在锂电池或其他可充电电池的保护电路中，IRF5210LPBF可用作充放电控制开关，防止过充、过放或短路等问题。 7. 信号放大与缓冲 - 在一些需要大电流输出的信号放大或缓冲电路中，该MOSFET可以充当功率放大器的角色，将弱电信号转化为强电信号。 特性优势： - 耐压能力：支持较高的漏源极电压（Vds），适合高压环境。 - 低导通电阻：降低功耗，提高系统效率。 - 快速开关速度：减少开关损耗，适应高频应用。 - 高可靠性：适合恶劣的工作条件，如高温或振动环境。 综上，IRF5210LPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和能源管理等领域，是一款高性能的功率MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 38A TO-262MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 40 A |
| Id-连续漏极电流 | - 40 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF5210LPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF5210LPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2780pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 230nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 38A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
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