Datasheet下载- 型号： PSMN015-100B,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN015-100B,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN015-100B,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN015-100B,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN015-100B,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN015-100B,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN015-100B,118 是恩智浦（NXP）而非德州仪器（Texas Instruments）生产的N沟道增强型功率MOSFET（封装为TO-220AB，Rds(on)典型值仅1.5 mΩ @ Vgs=10V，Vds=100V，Id=120A）。需特别澄清：该型号并非Texas Instruments（TI）产品，TI官网及授权渠道中无此型号；其制造商为NXP Semiconductors（原飞利浦半导体），数据手册编号、封装标识及品牌标识均明确归属NXP。 该器件适用于高效率、大电流直流开关场景，典型应用包括： - 工业电源与服务器/通信设备的同步整流与DC-DC转换（如48V输入降压至12V/5V）； - 电动工具、UPS及电池管理系统（BMS）中的主功率开关或电池保护电路（配合驱动IC实现过流/短路保护）； - 高频开关电源（SMPS）次级侧整流，利用其低导通电阻降低传导损耗，提升系统能效（尤其在重载工况下）； - 电机驱动H桥的上/下桥臂（需搭配合适栅极驱动器，注意100V耐压对中低压电机的适用性）。 注意事项：虽参数优异，但实际设计中需重视PCB布局（减小寄生电感）、散热设计（TO-220需配足够面积散热器）及驱动能力（建议使用专用MOSFET驱动IC以确保快速开关，抑制振铃与EMI）。 综上，该器件核心价值在于超低Rds(on)带来的高效能表现，适用于对功率密度和热管理要求严苛的中大功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN015-100B,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN015-100B,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 65 ns |
| 下降时间 | 50 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4900pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5949-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 95 ns |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 PSMN015-100B |
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