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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 2N6661JTXL02 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于场效应晶体管(FET)中的 MOSFET 单管类型。该器件常用于需要高效、高速开关性能的电子电路中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理与转换:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)等,适用于高效率和小型化设计。 2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机控制及电动工具中作为开关元件使用。 3. 负载开关:用于电池供电设备中的负载切换,如笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备。 4. 照明系统:如LED驱动电路,特别适用于需要调光或高频开关的应用。 5. 工业自动化:用于PLC、继电器替代、传感器接口等工业控制系统中。 6. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块、LED车灯驱动等对可靠性和效率要求较高的场景。 该MOSFET具备低导通电阻、快速开关速度和较高热稳定性,适合中高功率应用。其封装形式(如PowerPAK)有助于良好散热,提升整体系统可靠性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N6661JTXL02 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 欧姆 @ 1A,10V |
供应商器件封装 | TO-39 |
功率-最大值 | 725mW |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-205AD,TO-39-3 金属罐 |
标准包装 | 20 |
漏源极电压(Vdss) | 90V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 860mA (Tc) |