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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSP613PH6327XTSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSP613PH6327XTSA1价格参考¥2.67-¥3.22。InfineonBSP613PH6327XTSA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 2.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载BSP613PH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSP613PH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 BSP613PH6327XTSA1 是一款P沟道MOSFET,属于单MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效电源管理和小型化设计的电子设备中。该器件采用先进的技术工艺,具备低导通电阻(RDS(on))、高开关效率和良好的热稳定性,适合在便携式电子产品和电池供电系统中使用。 典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的电源开关、负载开关或电池管理电路。其P沟道结构简化了栅极驱动设计,特别适用于高边开关(High-side Switch)应用,如控制外设电源的开启与关闭,以降低待机功耗,提升能效。 此外,BSP613PH6327XTSA1也常用于工业控制模块、传感器供电管理、DC-DC转换电路以及各类低电压逻辑控制开关场合。由于其封装小巧(如PG-SCT50),有助于节省PCB空间,满足现代电子产品对高集成度和轻薄化的需求。 该MOSFET工作电压适中,适合12V及以下的低压系统,在保证可靠性的前提下提供快速响应和低损耗性能。整体而言,BSP613PH6327XTSA1是一款适用于多种低功耗、高效率开关场景的优选器件,尤其适合注重能效与空间利用率的设计。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.9 A |
| Id-连续漏极电流 | - 2.9 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET SIPMOS Sm-Signal 150mOhm -30V -1.5A |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1 |
| 产品型号 | BSP613PH6327XTSA1 |
| Pd-PowerDissipation | 1.8 W |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 3 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 正向跨导-最小值 | 2.7 S |
| 系列 | BSP613 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP001058788 |