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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT20N80P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT20N80P价格参考。IXYSIXFT20N80P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFT20N80P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFT20N80P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFT20N80P是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率晶体管的一种,常用于高电压和高电流的应用场景。该器件具备20A的连续漏极电流能力和800V的漏源击穿电压,适用于需要高效能功率控制的电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC整流器等,用于提高电源效率和稳定性。 2. 电机驱动系统:在工业自动化和电机控制中,作为功率开关驱动直流电机或步进电机。 3. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及变频家电中,实现直流到交流的高效转换。 4. 焊接设备:在电焊机中作为高频开关元件,提高焊接效率和控制精度。 5. 照明系统:如高强度放电灯(HID)或LED照明驱动电路中,实现稳定功率输出。 6. 汽车电子:用于电动车或传统汽车中的功率管理系统,如车载充电器、DC-DC转换模块等。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性,适合高频开关应用,有助于减少能量损耗并提升系统整体效率。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 800V 20A TO-268MOSFET 20 Amps 800V 0.52 Rds |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | IXYS |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFT20N80PPolarHV™ HiPerFET™ |
数据手册 | |
产品型号 | IXFT20N80P |
Pd-PowerDissipation | 500 W |
Pd-功率耗散 | 500 W |
Qg-GateCharge | 86 nC |
Qg-栅极电荷 | 86 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 520 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
上升时间 | 24 ns |
下降时间 | 24 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 4mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4685pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 520 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-268 |
典型关闭延迟时间 | 85 ns |
功率-最大值 | 500W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 4.500 g |
商标 | IXYS |
商标名 | PolarHV |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 520 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
封装/箱体 | TO-268-2 |
工厂包装数量 | 30 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 30 |
正向跨导-最小值 | 14 S |
汲极/源极击穿电压 | 800 V |
漏极连续电流 | 20 A |
漏源极电压(Vdss) | 800V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
系列 | IXFT20N80 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |