Datasheet下载- 型号： HUF75639S3
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF75639S3由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF75639S3价格参考。Fairchild SemiconductorHUF75639S3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF75639S3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF75639S3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF75639S3 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - HUF75639S3 常用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器（DC-DC Converter）和电压调节模块（VRM）中。由于其低导通电阻（Rds(on)），可以有效降低功率损耗，提高电源效率。 - 在电池充电电路中，该 MOSFET 可用作开关或负载控制元件，确保充电过程的安全性和稳定性。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，如风扇、泵或步进电机，HUF75639S3 可作为驱动电路中的开关器件，用于控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其快速开关特性和低功耗特性使其适合高效能电机控制系统。 3. 负载切换 - 该 MOSFET 可用于负载切换电路中，实现对不同负载的动态控制。例如，在汽车电子系统中，可用于控制车灯、雨刷或其他电气设备的开启与关闭。 4. 保护电路 - HUF75639S3 可用作过流保护或短路保护电路中的关键元件。当检测到异常电流时，通过快速关断 MOSFET 来保护整个电路免受损坏。 - 在 USB 充电端口等应用中，可以用作限流保护开关。 5. 信号放大与处理 - 在一些低功率信号放大场景中，HUF75639S3 可用作信号放大器的开关元件，提供高增益和低失真性能。 6. 消费类电子产品 - 适用于笔记本电脑适配器、智能手机充电器、平板电脑电源管理单元等消费类电子产品中，为设备提供高效的电源解决方案。 特性优势： - 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 高可靠性：能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。 综上所述，HUF75639S3 的应用场景涵盖了电源管理、电机驱动、负载切换、保护电路以及消费类电子等多个领域，是一款性能优异且应用广泛的 MOSFET。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AAMOSFET TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 56 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor HUF75639S3UltraFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | HUF75639S3 |
| Pd-PowerDissipation | 200 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 25 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 56A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262AA |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.084 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 25 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 56 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 56A （Tc） |
| 系列 | HUF75639 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | HUF75639S3_NL |
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