【晶体管 - 双极 (BJT) - 单_KSC3503DS】封装/厂家_KSC3503DS中文资料_价格

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型号： KSC3503DS
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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KSC3503DS产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供KSC3503DS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 KSC3503DS价格参考。Fairchild SemiconductorKSC3503DS封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，双极 (BJT) 晶体管 NPN 300V 100mA 150MHz 7W 通孔 TO-126-3。您可以下载KSC3503DS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有KSC3503DS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-126两极晶体管 - BJT NPN Epitaxial Sil
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor KSC3503DS-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	KSC3503DS
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	600mV @ 2mA，20mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	60 @ 10mA，10V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-126
功率-最大值	7W
包装	散装
单位重量	761 mg
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	Fairchild Semiconductor
增益带宽产品fT	150 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
封装/箱体	TO-126
工厂包装数量	250
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	7 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.1 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	250
电压-集射极击穿（最大值）	300V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	320
直流集电极/BaseGainhfeMin	40
系列	KSC3503
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	300 V
集电极—基极电压VCBO	300 V
集电极—射极饱和电压	0.6 V
集电极连续电流	0.1 A
零件号别名	KSC3503DS_NL
频率-跃迁	150MHz