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MBT35200MT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MBT35200MT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MBT35200MT1G价格参考。ON SemiconductorMBT35200MT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 35V 2A 100MHz 625mW 表面贴装 6-TSOP。您可以下载MBT35200MT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MBT35200MT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MBT35200MT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),常用于中功率开关和放大电路。其应用场景主要包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、稳压电源等,作为开关元件使用,具备良好的导通和关断特性。 2. 电机驱动:在小型电机或继电器驱动电路中,作为功率开关使用,可承受一定电流和电压。 3. 工业控制:广泛用于工业自动化设备中的信号放大与控制电路,如PLC模块、传感器接口等。 4. 汽车电子:因其可靠性和稳定性,适用于车载电子系统中的开关控制,如车灯控制、风扇驱动等。 5. 消费类电子产品:用于电源适配器、充电器、LED驱动等设备中,作为功率调节元件。 该晶体管采用SOT-223封装,散热性能较好,适合表面贴装,适用于需要中等功率处理能力的各类电子设备。其最大集电极电流可达1.5A,最大集电极-发射极电压为40V,适合多种中低压应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS SW PNP BIPOL 35V 2A 6TSOP两极晶体管 - BJT Low Saturation |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MBT35200MT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MBT35200MT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 310mV @ 20mA,2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 1.5A,1.5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | MBT35200MT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 625 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 35V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MBT35200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 35 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 55 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 0.26 V |
| 集电极连续电流 | - 2 A |
| 零件号别名 | MBT35200MT2G |
| 频率-跃迁 | 100MHz |