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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MJD243T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJD243T4G价格参考。ON SemiconductorMJD243T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MJD243T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MJD243T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJD243T4G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该型号的晶体管广泛应用于需要功率放大和开关功能的电路中,以下是其主要应用场景: 1. 功率放大器:MJD243T4G 适合用于音频功率放大器的设计,能够处理较高的电流和电压需求,提供稳定的信号放大效果。 2. 开关应用:该晶体管可用作电子开关,在继电器驱动、电机控制和其他需要高电流切换的应用中表现良好。 3. 电源管理:在直流-直流转换器或稳压器中,MJD243T4G 可用作开关元件或保护器件,确保电路稳定运行。 4. 负载驱动:适用于驱动LED、小型电机、电磁阀等负载,提供足够的电流输出以满足负载需求。 5. 信号放大:在工业自动化、消费电子和通信设备中,可用于信号放大的场景,增强弱电信号的强度。 6. 保护电路:在过流保护、短路保护等电路中,MJD243T4G 可作为关键元件,确保系统安全运行。 MJD243T4G 的特点包括高集电极电流(可达15A)、高功率耗散(最大25W)以及良好的热稳定性,使其非常适合需要高性能和可靠性的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS POWER NPN 4A 100V DPAK两极晶体管 - BJT 4A 100V 12.5W NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MJD243T4G- |
数据手册 | |
产品型号 | MJD243T4G |
PCN组件/产地 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 100mA,1A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 200mA,1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | MJD243T4GOSDKR |
功率-最大值 | 1.4W |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 40 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | TO-252-3 (DPAK) |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 12.5 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 40 |
系列 | MJD243 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 100 V |
集电极—基极电压VCBO | 100 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
集电极连续电流 | 4 A |
频率-跃迁 | 40MHz |