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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUH51G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUH51G价格参考。ON SemiconductorBUH51G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUH51G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUH51G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的BUH51G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),主要用于高电压、高功率开关应用。该器件具有较高的集电极-发射极击穿电压(通常可达1500V以上),适合在高压环境中稳定工作,因此广泛应用于需要高耐压和高可靠性的场合。 典型应用场景包括: 1. CRT显示器和电视机中的高压开关电路:BUH51G曾广泛用于老式显像管设备的行输出级,作为扫描电路中的高压开关,控制偏转线圈和高压发生器的工作。 2. 高压电源系统:适用于需要快速开关和承受高压瞬变的电源设计,如工业电源、高压发生器等。 3. 逆变器和电机驱动电路:在某些中高功率模拟或脉冲电路中,用于信号放大或功率切换。 4. 照明电子镇流器:用于荧光灯或高强度放电灯(HID)的电子镇流器中,实现高频开关控制。 BUH51G具备良好的热稳定性和开关特性,适合在高温环境下运行。尽管随着技术发展,部分应用已被MOSFET或IGBT取代,但在一些维修市场或特定高压模拟电路中仍具使用价值。因其高耐压特性,在设计时需注意散热与保护电路,以确保长期可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN SW 800V 3A TO-225 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BUH51G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SWITCHMODE™ |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 200mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 8 @ 1A,1V |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 500V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 频率-跃迁 | 23MHz |