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产品简介:
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NXP USA Inc. 的 2PA1774R,135 是一款硅 NPN 型双极结型晶体管(BJT),主要用于高频、高功率放大应用。该器件特别适用于射频(RF)功率放大电路,常见于工业、科学和医疗(ISM)频段设备中,如射频能量系统、感应加热、等离子发生器和射频激励光源等。 2PA1774R,135 具有高击穿电压(VCEO 达 120V)、高电流处理能力(Ic 可达 15A)以及优良的热稳定性,适合在恶劣工作环境下长期稳定运行。其封装采用 SOT502-3(D-PAK),便于散热并支持表面贴装工艺,广泛应用于需要高效能、紧凑设计的电源与射频模块中。 典型应用场景包括:大功率射频放大器、无线能量传输系统、射频驱动电路、工业加热设备以及高端照明系统(如高强度气体放电灯 HID 镇流器)。此外,因其良好的线性特性和高增益表现,也适用于模拟信号放大和开关类电路。 该器件工作温度范围宽(-65°C 至 +200°C),适合高温环境下的可靠运行,是工业级和高可靠性系统中的理想选择。配合适当的匹配网络与散热设计,2PA1774R,135 能在几十兆赫兹至数百兆赫兹频段内实现高效功率输出。 综上所述,2PA1774R,135 主要用于高功率、高频模拟电路,尤其适用于工业射频能源和高性能放大系统,具备高可靠性、高效率和良好的热性能,满足严苛应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 50V 150MA SC-75 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 2PA1774R,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 180 @ 1mA,6V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 2PA1774R /T3 |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |