ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > PBSS5160T,215
Datasheet下载- 型号： PBSS5160T,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS5160T,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS5160T,215价格参考。NXP SemiconductorsPBSS5160T,215封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 1A 220MHz 400mW 表面贴装 TO-236AB（SOT23）。您可以下载PBSS5160T,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS5160T,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS5160T,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款 NPN 型硅外延平面双极结型晶体管（BJT），采用 SOT-23 表面贴装封装，具有高增益（hFE 典型值 300@IC=50mA）、低饱和压降（VCE(sat) 最大 170mV@IC=500mA, IB=50mA）及良好开关特性。其典型应用场景包括： 1. 中小功率开关电路：如便携式设备（智能手机、TWS耳机、可穿戴设备）中的LED驱动、蜂鸣器控制、负载开关等； 2. 电源管理模块：用于DC-DC转换器的使能控制、LDO使能/复位信号调理、电池保护电路中的充放电通断控制； 3. 信号电平转换与接口驱动：在MCU GPIO驱动能力不足时，作为缓冲/反相放大器，驱动继电器、光耦或逻辑电平兼容电路； 4. 工业与消费类电子：家用电器（如智能插座、温控面板）中的继电器/电机驱动前级、传感器信号调理电路中的有源负载或电流镜单元。 该器件工作结温范围为−65°C 至 +150°C，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于空间受限、需高效开关与低功耗的中低频（fT ≈ 200 MHz）应用，但不适用于高频射频或大功率线性放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 60V 1A SOT23两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS5160T,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS5160T,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 330mV @ 100mA，1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-4347-1 |
| 功率-最大值 | 400mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 220 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/3806620/NXPBISS1-KIT-ND/1841807 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 270 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | - 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 1 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 80 V |
| 集电极连续电流 | - 1 A |
| 零件号别名 | PBSS5160T T/R |
| 频率-跃迁 | 220MHz |
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