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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FZT1149ATA由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FZT1149ATA价格参考。Diodes Inc.FZT1149ATA封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FZT1149ATA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FZT1149ATA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FZT1149ATA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单型号。作为一款 NPN 型双极性晶体管,它适用于多种低功率和中等功率的电子电路应用。以下是其主要应用场景: 1. 开关电路 FZT1149ATA 的高频特性和低饱和电压使其非常适合用作开关元件。它可以用于数字逻辑电路、继电器驱动、LED 驱动以及 MOSFET 或其他功率器件的栅极驱动。 2. 信号放大 该晶体管具有较高的增益(hFE),适合用于音频信号放大、传感器信号放大以及其他需要小信号放大的场合。例如,麦克风信号预放大或弱电信号增强。 3. 电源管理 在一些简单的电源管理电路中,FZT1149ATA 可用于电流限制、过流保护或线性稳压器的设计。它能够处理一定范围内的电流和电压,满足低功耗设备的需求。 4. 脉宽调制 (PWM) 控制 由于其快速响应特性,FZT1149ATA 能够在 PWM 控制电路中发挥作用,例如电机速度控制、灯光亮度调节或 DC-DC 转换器中的辅助开关。 5. 通信与射频前端 虽然不是专门设计用于高频射频应用,但 FZT1149ATA 的频率响应能力允许其在某些低频至中频通信电路中使用,例如调制解调器、振荡器或混频器。 6. 消费电子产品 这款晶体管广泛应用于各种消费类电子产品中,如家用电器、玩具、遥控器、小型音响设备等。它的紧凑封装形式(SOT-23)使得它特别适合空间受限的设计。 总结 FZT1149ATA 的典型应用场景包括但不限于开关功能、信号放大、电源管理以及 PWM 控制等领域。凭借其高性能参数和小型化封装,这款晶体管成为许多低功耗和中等功率应用的理想选择。在具体设计时,需根据实际需求考虑工作条件是否符合其额定值,并结合散热设计确保稳定运行。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP -25V -4000MA SOT-223两极晶体管 - BJT NPN High Gain & Crnt |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated FZT1149ATA- |
数据手册 | |
产品型号 | FZT1149ATA |
PCN其它 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 350mV @ 140mA,4A |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 250 @ 500mA,2V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-223 |
其它名称 | FZT1149A |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | - 5 V |
商标 | Diodes Incorporated |
增益带宽产品fT | 135 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
封装/箱体 | SOT-223 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 2.5 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 4 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 25V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流电流增益hFE最大值 | 270 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 270 at 10 mA at 2 V, 250 at 500 mA at 2 V, 195 at 2 A at 2 V, 115 at 5 A at 2 V |
系列 | FZT1149A |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 25 V |
集电极—基极电压VCBO | - 30 V |
集电极—射极饱和电压 | - 230 mV |
集电极连续电流 | - 4 A |
频率-跃迁 | 135MHz |