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Datasheet下载- 型号： BF824W,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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BF824W,135产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BF824W,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF824W,135价格参考。NXP SemiconductorsBF824W,135封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单， 双极 (BJT) 晶体管 PNP 30V 25mA 400MHz 200mW 表面贴装 SC-70。您可以下载BF824W,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BF824W,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BF824W,135、品牌为 Nexperia USA Inc. 的晶体管属于 双极型晶体管（BJT），其主要应用场景包括： 该晶体管为 PNP型，常用于 小信号处理 和 开关应用。由于其封装形式为 SOT-323（也称为 SC-70），体积小巧，适合高密度电路设计，广泛应用于便携式电子产品和消费类电子设备中。 典型应用包括： 1. 音频放大电路：用于低频信号的前置放大，适用于音频设备中的信号调节。 2. 数字开关电路：在低功率控制电路中作为开关元件，如逻辑电平转换或继电器驱动。 3. 传感器接口电路：用于传感器信号的放大与处理，适用于工业自动化和测量设备。 4. 电源管理电路：用于电源切换或负载控制，常见于电池供电设备中。 5. 通信设备：如无线模块、蓝牙设备中的信号处理部分。 其工作温度范围通常为工业级（-40°C 至 +150°C），具备良好的稳定性和可靠性，适用于多种环境条件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS PNP 30V 25MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS MED FREQ |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BF824W,135- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BF824W,135 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 25 @ 4mA，10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | 568-6952-6 |
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 4 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 400 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.025 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 25mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 25 at 1 mA at 10 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 25 at 1 mA at 10 V, 25 at 4 mA at 10 V |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 30 V |
| 零件号别名 | /T3 BF824W |
| 频率-跃迁 | 400MHz |
