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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ST13003DN由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ST13003DN价格参考。STMicroelectronicsST13003DN封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载ST13003DN参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ST13003DN 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的ST13003DN是一款双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该晶体管广泛应用于中功率开关和放大电路中。 其典型应用场景包括: 1. 电源开关电路:ST13003DN具备较高的集电极电流(Ic)和耐压能力,适合用于中功率开关应用,如电源管理、负载开关等。 2. 电机驱动电路:在小型电机或继电器的驱动电路中,该晶体管可作为开关元件使用,控制电机的启停和方向。 3. 音频放大电路:由于其良好的线性特性,ST13003DN可用于音频功率放大器的前级或驱动级,提升信号强度。 4. 工业控制设备:常用于工业自动化设备中的信号处理、执行机构控制等场景。 5. 消费类电子产品:如电视机、音响设备、充电器等产品中,用于电源转换或信号控制部分。 该晶体管采用DPAK(TO-252)封装,具备良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,适合批量生产。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制,确保稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR NPN FAST HV SOT32两极晶体管 - BJT NPN 700Vces 400Vceo Integrated Diode CFL |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics ST13003DN- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ST13003DN |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.2V @ 330mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 6 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-32-3 |
| 其它名称 | 497-10873 |
| 功率-最大值 | 20W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 |
| 封装/箱体 | SOT-32 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 20 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 2 A |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 400V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 1A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 5 |
| 系列 | ST13003 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 700 V |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | - |