【未分类_BD679AS】封装/厂家_BD679AS中文资料_价格

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型号： BD679AS
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BD679AS由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BD679AS价格参考。Fairchild SemiconductorBD679AS封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BD679AS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BD679AS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BD679AS 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），属于晶体管 - 双极 (BJT) - 单类别。它具有高电流增益、宽频率响应和良好的热稳定性，适用于多种功率放大和开关应用。以下是 BD679AS 的一些典型应用场景：

1. 功率放大器：  
   BD679AS 适合用作音频功率放大器中的输出级晶体管，能够提供大电流驱动能力，支持高功率音频信号的放大。

2. 开关电路：  
   在继电器驱动、LED 驱动或电机控制等应用中，BD679AS 可作为开关元件使用，实现高效的负载切换。

3. 电源管理：  
   它可用于线性稳压器或 DC-DC 转换器的辅助电路中，帮助调节输出电压或电流。

4. 电机驱动：  
   BD679AS 能够驱动小型直流电机或步进电机，提供足够的电流以确保电机正常运行。

5. 信号放大：  
   在需要高增益信号放大的场合，例如传感器信号处理或通信设备中，BD679AS 可用于中间级或输出级放大。

6. 保护电路：  
   该晶体管也可用于过流保护或短路保护电路中，通过快速响应切断异常电流路径。

BD679AS 的主要特点包括：  
- 集电极-发射极击穿电压（VCEO）高达 80V，适合中高压应用。  
- 最大集电极电流（IC）为 15A，具备强大的负载驱动能力。  
- 功率耗散（Ptot）可达 125W（在适当散热条件下）。  

综上所述，BD679AS 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，尤其适合需要高电流、中高压操作的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN 80V 4A TO-126达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Fairchild Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,达林顿晶体管,Fairchild Semiconductor BD679AS-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品型号	BD679AS
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	2.8V @ 40mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	750 @ 2A，3V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	达林顿晶体管
供应商器件封装	TO-126
功率-最大值	40W
功率耗散	40 W
包装	散装
单位重量	761 mg
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	Fairchild Semiconductor
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	TO-225AA，TO-126-3
封装/箱体	TO-126
工厂包装数量	250
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN - 达林顿
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	4 A
最大集电极截止电流	200 uA
最小工作温度	- 65 C
标准包装	250
电压-集射极击穿（最大值）	80V
电流-集电极(Ic)（最大值）	4A
电流-集电极截止（最大值）	500µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	750
系列	BD679A
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	80 V
集电极—基极电压VCBO	80 V
集电极连续电流	4 A
零件号别名	BD679AS_NL
频率-跃迁	-