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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSV60200LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSV60200LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSV60200LT1G价格参考。ON SemiconductorNSV60200LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSV60200LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSV60200LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSV60200LT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极结型晶体管（BJT），属于NPN型晶体管。该器件主要用于高频率和高功率的应用场景，具有良好的热稳定性和高频响应特性。 其典型应用场景包括： 1. 射频（RF）功率放大器：适用于无线通信设备中的射频信号放大，如基站、无线接入点等。 2. 高频开关电路：可用于高频开关电源或逆变器电路中，实现快速开关控制。 3. 功率调节电路：在需要较高电流和电压处理能力的电源管理电路中作为控制元件使用。 4. 工业控制与驱动电路：用于工业自动化设备中的电机驱动、继电器控制等场景。 5. 汽车电子系统：如车载电源系统、LED照明驱动等对可靠性要求较高的环境中。 该晶体管采用SOT-223封装，具有良好的散热性能，适用于表面贴装，适合在空间受限但需要良好热管理的设计中使用。由于其高频和功率处理能力，NSV60200LT1G在通信、工业和汽车电子领域有广泛的应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PNP 60V 4A SOT23-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV60200LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 220mV @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 460mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 2A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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