Datasheet下载- 型号： MJE800G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MJE800G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MJE800G价格参考。ON SemiconductorMJE800G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MJE800G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MJE800G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MJE800G是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于NPN型功率晶体管。该器件常用于需要较高电流和电压处理能力的电路中。 主要应用场景包括： 1. 电源开关与调节电路：MJE800G可用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器等，作为功率开关元件，控制电流流通。 2. 电机驱动与继电器控制：由于其具备较高的电流放大能力和耐压特性，适合用于电机、继电器等感性负载的驱动电路中。 3. 音频功率放大器：在低频音频放大电路中，MJE800G可作为输出级晶体管使用，提供足够的功率驱动扬声器。 4. 工业自动化控制：在PLC、工业继电控制系统中，用作高电流负载的控制开关。 5. 汽车电子系统：如车灯控制、风扇电机驱动等车载应用场合。 该晶体管采用TO-220封装，便于散热，适用于中高功率应用。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制，并配合适当的基极驱动和散热措施。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DARL NPN 4A 60V TO225AA达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor MJE800G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MJE800G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 2.5V @ 30mA，1.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 750 @ 1.5A，3V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | TO-225AA |
| 其它名称 | MJE800GOS |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 散装 |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-225AA，TO-126-3 |
| 封装/箱体 | SOIC-14 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A |
| 最大集电极截止电流 | 100 uA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MJE800 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 频率-跃迁 | - |
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