ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > MCH3383-TL-H
Datasheet下载- 型号： MCH3383-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH3383-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH3383-TL-H价格参考。ON SemiconductorMCH3383-TL-H封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 3.5A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3。您可以下载MCH3383-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH3383-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3.5A MCH3MOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，0.9V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.5 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH3383-TL-H- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCH3383-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 69 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 69 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 5 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1010pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 2.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 69 毫欧 @ 1.5A，2.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-MCPH |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | MCPH-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
| 系列 | MCH3383 |
| 配置 | Single |
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